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La fabrication de semi-conducteurs impose des exigences extrêmement exigeantes en matière de pureté des matériaux, de stabilité thermique, de résistance à la gravure plasma et de précision mécanique. Grâce à sa haute résistivité (>10¹⁴ Ω•cm), sa haute conductivité thermique, sa faible dilatation thermique, son excellente résistance diélectrique et sa résistance à la gravure plasma au fluor, le nitrure de silicium est devenu un composant céramique de précision indispensable dans les équipements de traitement de plaquettes. Comparé à l’aluminium et au quartz, les composants en nitrure de silicium réduisent considérablement la contamination par particules, allongent les intervalles de maintenance, améliorent les taux de rendement et supportent des nœuds de procédé plus avancés. Parallèlement, leur conductivité thermique et leur résistance à haute température permettent aux éléments chauffants de réagir plus rapidement et de créer une distribution de température plus uniforme, aidant les équipements semi-conducteurs à évoluer vers une puissance plus élevée et une consommation énergétique plus faible.

Domaines d’application

  • 半导体

  • Élément chauffant

    Conçus pour des environnements à haute température et à haute pureté tels que le traitement thermique rapide (RTP), les chauffages MOCVD et les plaques chauffantes à graveur plasma. Les plaques chauffantes en nitrure de silicium peuvent être fabriquées comme des éléments chauffants monolithiques en imprimant de la pâte résistive à l’intérieur ou à la surface des substrats céramiques, offrant une excellente uniformité thermique, des vitesses de chauffage rapides, une résistance à la corrosion et une absence de contamination métallique. Comparés aux chauffages métalliques traditionnels, les éléments chauffants en nitre de silicium offrent plus de 20 % d’efficacité thermique supérieure, permettant un contrôle plus précis des températures du procédé des plaquettes tout en évitant la contamination par ions métalliques. Ils conviennent à une utilisation dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération plus exigeants.