Le substrat céramique en nitrure de silicium présente de nombreux avantages, tels qu’une grande résistance, une grande ténacité et une conductivité thermique exceptionnelle (130W/(m-k)). De plus, son coefficient de sion d’expansion thermique correspond étroitement à celui des semi-conducteurs Si, SiC et GaN. Par conséquent, le substrat céramique en nitre de silicium est un choix idéal pour l’emballage de modules à haute puissance, ce qui en fait largement considéré comme l’option de substrat céramique la plus adaptée.
Notre entreprise utilise le procédé de nitrure directe pour produire de la poudre de silicium de haute pureté. Grâce à notre technologie brevetée unique, nous contrôlons le matériau de silicium, le procédé de nitrure et le procédé de raffinage afin de préparer une poudre de nitrure de silicium CF-HJ à haute pureté, à forte teneur en phase, à une distribution étroite de la taille des particules et à une activité de frittage exceptionnelle. Ce type de poudre de nitrure de silicium a effectivement mis fin aux monopoles étrangers et peut servir de substitut pleinement viable à la poudre de nitrure de silicium importée de même niveau de qualité.
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Item de test |
Unité |
Gamme d’indices |
Équipement ou méthode d’essai |
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Phase α |
% |
≥90 |
Diffractomètre aux rayons X JC/T 2342-2015 |
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Fe |
ppm |
≤200 |
Méthode d’absorption atomique ISO10058-3:2008 |
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Al |
ppm |
≤200 |
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Ca |
ppm |
≤200 |
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N |
% |
≥38,5 |
Appareil à azote Kjeldahl GB/T 16555-2017 |
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Frss Si |
% |
<0.2 |
MethPD volumétrique gazeuse GB/T 16555-2017 |
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C |
% |
≤0,10 |
Analyseur de carbone infrarouge à haute fréquence GB/T 16555-2017 |
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D50 |
μm |
≤0,9 |
Analyseur laser de taille de particules GB/T19077-2016 |
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O |
% |
≤1.4 |
Méthode de conductivité thermique infrarouge à impulsions de gaz inerte GB/T 16555-2017 |
